在脈沖功率系統(tǒng)中半導體開關(guān)在高重頻、緊湊化、觸發(fā)延遲小、低抖動等方面有著其他類型開關(guān)無法比擬的優(yōu)勢、在眾多半導體開關(guān)中晶閘管開關(guān)(又稱可控硅)由于導通電流大、功率水平高等優(yōu)點被廣泛應用在脈沖功率系統(tǒng)中。本文結(jié)合晶閘管開關(guān)的典型應用案例來談談晶閘管如何鎖定反峰,及如何利用反峰的能量。
2020年4月17日 - 初稿
作者:海伏科技——小濤(轉(zhuǎn)載注明出處)
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圖1:被鎖定的反峰
如圖1所示,晶閘管作為放電回路的開關(guān),此脈沖功率系統(tǒng)的工作邏輯如下:
如果將上圖放電回路中的續(xù)流二極管放在晶閘管之前,續(xù)流二極管與儲能電容并聯(lián),即可消除反峰,修改后的電路如圖2所示:
圖2:防止晶閘管鎖定反峰
但是,如此更改之后會導致晶閘管通過的電荷量增加。圖1中在一個放電周期內(nèi)通過晶閘管的電荷量約為電容中存儲的電荷量;圖2中一個放電周期內(nèi)通過晶閘管的電荷量為電容中存儲的電荷量加上續(xù)流二極管續(xù)流時通過的電荷量。根據(jù)放電回路中電容電感的參數(shù)不同,續(xù)流的電荷量有可能是電容中存儲電荷量的幾倍甚至十幾倍,所以相應的也要增加晶閘管的容量。
如果保護電路是使用高壓繼電器將充電機與儲能電容切斷,在上一篇文章《直覺防反峰——高壓繼電器》中提到,在重新閉合高壓繼電器之前,一定要確保儲能電容中不存在反壓,否則會損壞高壓電源。此時需要通過要加電路將儲能電容中的負壓釋放掉,再閉合高壓繼電器,進行下一周期的充電。
當電容中反壓過高時,如果通過電阻泄放反壓會增加泄放電阻的負擔,并且這部分能量也被白白浪費掉了??梢栽趦δ茈娙萆显黾泳чl管及換向電感將儲能電容中的電壓換向,換向后進行下一個周期的充電,提高能量的利用效率。
隨著半導體技術(shù)的不斷進步,晶閘管的容量不斷加大,越來越多的脈沖功率系統(tǒng)使用晶閘管作為核心開關(guān)器件。由于其延遲低、重復性好、單相導通等特性可以在脈沖功率系統(tǒng)中產(chǎn)生很多優(yōu)秀的電路組合。例如實現(xiàn)超級電容儲能,諧振充電,主放電容恒壓輸出;電容器電壓換向;等等很多優(yōu)秀的應用這里不一一列舉。
海伏科技多年來一直致力于中小型脈沖功率系統(tǒng)的集成與應用,針對可控硅開發(fā)了多款系統(tǒng)集成配件,包括電壓采集、多路時序控制(可根據(jù)波形不同實時調(diào)整輸出時序?qū)崿F(xiàn)一些復雜的功能)、高隔離驅(qū)動、可控硅串聯(lián)技術(shù)等等。如果您有脈沖功率相關(guān)的需求歡迎與我們聯(lián)系。